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K6T4008C1B-VB70 ISSI SRAM 4M 512Kx8 25ns 비동기 SRAM

분류:
집적 회로 IC
가격:
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결제 방법:
페이팔, TT, 웨스턴 유니온
사양
상품 카테고리:
SRAM
메모리 용량:
4 메가비트
조직:
512 K X 8
엑세스 시간:
25 나노 초
인터페이스 타입:
대비
공급 전압 - 맥스:
5.5 V
소개

K6T4008C1B-VB70 ISSI SRAM 4M (512Kx8) 25ns 비동기 SRAM

 

K6T4008C1B-VB70 ISSI SRAM 4M 512Kx8 25ns 비동기 SRAM

K6T4008C1B-VB70 ISSI SRAM 4M 512Kx8 25ns 비동기 SRAM

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MOQ:
1PCS