ZXTN25100BFHTA 양극적 (BJT) 트랜지스터 NPN 100 V 3 A 160MHz 1.25 W RF 트랜지스터
분류:
RF 트랜지스터
가격:
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결제 방법:
T/T, 웨스턴 유니온
사양
날짜 코드:
최신 코드
선박:
DHL/UPS/Fedex
조건:
신규*원본
보증:
365일
납 없는:
로스 준수
선행 시간:
즉시 배송
패키지:
SOT-23-3
증가하는 방식:
SMD/SMT
소개
ZXTN25100BFHTA 양극 (BJT) 트랜지스터 NPN 100 V 3 A 160MHz 1.25 W 표면 장착
| 다이오드 인코어레이트 | |
| 제품 카테고리 | 양극 트랜지스터 - BJT |
| RoHS: | 세부 사항 |
| SMD/SMT | |
| SOT-23-3 | |
| NPN | |
| 싱글 | |
| 100V | |
| 170V | |
| 7V | |
| 200mV | |
| 3A | |
| 10.81W | |
| 160 MHz | |
| - 55C | |
| + 150C | |
| ZXTN25100 | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 마우스 릴 | |
| 브랜드: | 다이오드 인코어레이트 |
| 높이: | 1mm |
| 길이는: | 30.05mm |
| 제품 종류: | BJT - 양극 트랜지스터 |
| 하위 분류: | 트랜지스터 |
| 기술: | 네 |
| 너비: | 1.4mm |
| 단위 무게: | 0.000282 온스 |
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제품 상태
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액티브
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트랜지스터 유형
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전류 - 수집기 (Ic) (최대)
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3A
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전압 - 컬렉터 발산기 분해 (최대)
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100V
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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic
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250mV @ 300mA, 3A
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전류 - 컬렉터 절단 (최대)
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50nA (ICBO)
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DC 전류 증가 (hFE) (분) @ Ic, Vce
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100 @ 10mA, 2V
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전력 - 최대
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1.25W
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빈도 - 전환
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160MHz
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작동 온도
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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장착형
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표면 마운트
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패키지 / 케이스
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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공급자의 장치 패키지
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SOT-23-3
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특징
BVcEo > 100V
BVcEx > 170V 전방 차단 전압
BVEco > 6V 역 차단 전압
Ic = 3A 높은 연속 컬렉터 전류
낮은 포화전압, VCE (SAT) < 80mV @ 1A
RCE ((SAT) = 67mQ는 낮은 적정 온 저항을 위해
1.25W 전력 분산
hFE 고전류 증강 유지에 3A까지 지정
추가 PNP 타입: ZXTP25100BFH
완전히 납 없는 & 완전히 RoHS 준수 (1 & 2 참고)
알로겐과 안티몬이 없는 장치 (노트3)
높은 릴블리티에 대한 AEC-Q101 표준에 적합합니다.
기계적 데이터
케이스: SOT23
케이스 재료: 폼플라스틱, "녹색" 폼플링 컴포넌트
UL 불화성 등급 94V-0
수분 민감도: J-STD-020에 따른 레벨 1
터미널: 끝 - 매트 틴 접착 납, 용접
MIL-STD-202, 방법 2080@3)
무게 0.008g (약)
신청서
●램프 릴레이 및 소레노이드 드라이버
●자동차 및 산업용 용도의 일반 전환
●모터 드라이브 와 제어
- 타입: NPN (네거티브-포지티브-네거티브) 양극결합 트랜지스터
- 정압: 100V (최대 수집기-발사기 전압)
- 가등급 전류: 3A (최대 수집 전류)
- 주파수: 160 MHz (효율적으로 작동할 수 있는 최대 주파수)
- 전력 분산: 1.25 W (트랜지스터에 의해 분산 될 수있는 최대 전력)
- 패키지 유형: 표면 장착 (SMT) 패키지, 허용하는 패키지 유형
- 뚫린 구멍 용접을 필요로 하지 않고 인쇄 회로 보드 (PCB) 표면에 장착할 수 있습니다.
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MOQ:
1pcs
