NE57810S/N1 변환기 DDR 전압 조절기 IC 1 출력 5-SPAK 통합 회로 IC
분류:
집적 회로 IC
가격:
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결제 방법:
페이팔, TT, 웨스턴 유니온
사양
날짜 코드:
최신 코드
선박:
DHL/UPS/Fedex
조건:
신규*원본
보증:
365일
납 없는:
로스 준수
선행 시간:
즉시 배송
패키지:
SPAK-5
증가하는 방식:
SMD/SMT
강조하다:
NE57810S/N1
,변환기 DDR 전압 조절기 IC
,NE57810S/N1 통합 회로 IC
소개
NE57810S/N1 변환기 DDR 전압 조절기 IC 1 출력 5-SPAK 통합 회로
| NXP | |
| 제품 카테고리 | SRAM |
| 브랜드: | N-X-P 반도체 |
| 제품 종류: | SRAM |
| 하위 분류: | 메모리 및 데이터 저장 |
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분류
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Mfr
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N-X-P USA Inc.
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| 패키지 | 테이프 & 롤 (TR) |
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시리즈
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-
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제품 상태
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구식
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신청서
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컨버터, DDR
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전압 - 입력
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1.6V ~ 3.6V
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출력 수
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1
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전압 - 출력
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-
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작동 온도
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0°C ~ 70°C
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장착형
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표면 마운트
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패키지 / 케이스
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-
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공급자의 장치 패키지
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5-SPAK
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기본 제품 번호
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소개
NE57810은 이중 데이터 레이트 (DDR) 를 종료하기 위해 전력을 공급하도록 설계되었습니다.
SDRAM 메모리 버스. 그것은 부분 수, 보드 공간, 그리고 전체적인
이전 솔루션에 비해 시스템 비용
일반 설명
NE57810 DDR 종료 조절기는 출력 전압 (DDR 참조 버스) 을 유지
전압) 는 RAM 공급 전압의 절반입니다.
지속된 기간. 과류 제한은 NE57810에서 급류로부터 보호
시작. 과온화 종료 극단적 인 온도에서 장치를 보호
상황.
패키지는 열 설계의 유연성을 위해 열적으로 견고합니다.
조절기 때문에 외부 인덕터 또는 전환 FET가 필요하지 않습니다.
변화하면 출력 콘덴서 필요성이 줄어듭니다.
특징
■단순 반응 시간
■대온 보호
■초전류 보호
■상업용 온도 범위 (0 °C ~ +70 °C)
■외부 부품의 필요성 감소 (FET, 인덕터, 분리 전환)
콘덴시터)
■내부 분할기는 메모리 공급 전압의 절반에서 종료 전압을 유지
■다른 메모리 및 제어 구성 요소에 대한 참조
■유연한 적용을 위해 선택적 외부 전압 참조
■DDR-I (Voo = 2.5 V) 또는 DDR-II (Voo = 1.8 V) SDRAM 시스템과 호환됩니다.
신청서
■데스크톱 마이크로 컴퓨터 시스템
■작업장
■서버
■게임 기계
■세트 톱 박스
■11 임베디드 시스템
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주식:
MOQ:
1pcs
