ISL6625ACRZ-T 반대교 게이트 드라이버 IC 반전되지 않는 8-DFN (2x2)
ISL6625ACRZ-T 반대교 게이트 드라이버 IC 반전되지 않는 8-DFN (2x2)
| 레네사스 전자제품 | |
| 제품 카테고리 | 게이트 드라이버 |
| RoHS: | 세부 사항 |
| MOSFET 게이트 드라이버 | |
| 높은 면, 낮은 면 | |
| SMD/SMT | |
| 2 운전자 | |
| 2 출력 | |
| 20mA | |
| 5.5V | |
| 13.2V | |
| 31 ns | |
| 18 ns | |
| 0 C | |
| + 70C | |
| ISL6625A | |
| 릴 | |
| 컷 테이프 | |
| 브랜드: | 레네사스 / 인터실 |
| 높이: | 0.9mm |
| 길이는: | 2mm |
| 습도에 민감함: | 그래요 |
| 제품 종류: | 게이트 드라이버 |
| 하위 분류: | PMIC - 전력 관리 IC |
| 기술: | 네 |
| 너비: | 2mm |
| 단위 무게: | 0.000388 온스 |
ISL6625A는 높은 주파수 MOSFET 드라이버입니다
ASINCHRON rectified buck converter topology의 MOSFET.ISL6625A에서 상부와 하부 게이트는
양쪽 모두 외부로 적용된 전압으로 구동됩니다.
가이트 충전과 전도 손실 사이의 타협.
통합되어 상부와 하부 MOSFET이 동시에 운행되는 것을 방지하고
ISL6625A는 10kΩ의 고쪽 게이트-서스 저항을 통합하여
이 드라이버는 또한 과압 보호 기능이 있습니다.
PHASEnode는 아래쪽 MOSFET (LGATE) 의 게이트에 연결되어 있습니다.
30kΩ 저항, 낮은 측면 MOSFET의 게이트 문까지 변환기의 출력 전압을 제한합니다.
이것은 전류가 셔팅되는 것에 달려 있습니다.
MOSFETs는 단축됩니다.
신청서
• 가벼운 부하 효율성 높은 전압 조절기
• 첨단 마이크로프로세서용 핵심 조절기
• 고전류 DC/DC 변환기
특징
• 동시 직렬 교량용 듀얼 MOSFET 드라이브
• 첨단 적응 제로 샷 투 보호- PHASE 검출- LGATE 검출- rDS ((ON) 전도 오프셋 효과의 자동 제로
• 낮은 대기 편향 전류
• 36V 내부 부트스트랩 스위처
• 부트스트랩 콘덴서 과부하 방지
• 높은 입력 버스 dV/dt로 인해 자체 켜지는 것을 방지하기 위한 통합된 고쪽 게이트-투 소스 저항
• 시작 및 종료에 대한 POR 전 전압 보호
• 전력 레일 저전압 보호
• 더 많은 열 을 흡수 하기 위해 확장 할 수 있는 구리 바닥 패드
• 이중 평면 납 없는 패키지 (DFN) - 거의 칩 규모의 패키지 발자국; PCB 효율성을 향상시키고 프로필이 더 얇습니다.
