M95512-WMN6P EEPROM 메모리 IC 512Kbit SPI 16 MHz 8-SOIC 통합 회로

512Kbit EEPROM 메모리 IC
,SPI EEPROM 메모리 IC
,M95512-WMN6P
M95512-WMN6P EEPROM 메모리 IC 512Kbit SPI 16 MHz 8-SOIC 통합 회로
STM이크로전자 | |
제품 카테고리 | EEPROM |
RoHS: | 세부 사항 |
SMD/SMT | |
SOIC-8 | |
SPI | |
512kbit | |
64kg x 8kg | |
2.5V | |
5.5V | |
- 40C | |
+ 85 C | |
16MHz | |
25 ns | |
200 년 | |
8mA | |
M95512-W | |
튜브 | |
액티브 리딩 전류 - 최대: | 8mA |
브랜드: | STM이크로전자 |
높이: | 1.65mm |
길이는: | 5mm |
작동 공급 전류: | 6mA |
작동 공급 전압: | 3.3V, 5V |
제품 종류: | EEPROM |
프로그램 전압: | 2.5V ~ 5.5V |
하위 분류: | 메모리 및 데이터 저장 |
너비: | 4mm |
단위 무게: | 00.019048 온스 |
설명
M95512 장치는 전기적으로 지워질 수 있는 프로그래밍 메모리 (EEPROM) 입니다.
65536 x 8 비트,SPI 버스를 통해 액세스. M95512-W는 2.5V의 공급 전압으로 작동 할 수 있습니다
5.5V까지, M95512-R는 1.8V에서 5.5V의 공급 전압으로 작동 할 수 있으며 M95512-DF는
-40 °C / +85 °C의 온도 범위에서 1.7V에서 5.5V의 공급 전압으로 작동합니다.
M95512-DF는 식별 페이지 (128 바이트) 라는 추가 페이지를 제공합니다.
이 페이지는 민감한 응용 프로그램 매개 변수를 저장하는 데 사용될 수 있습니다.
읽기 전용 모드
특징
• 연쇄 주변 인터페이스 (SPI) 버스와 호환
• EEPROM의 메모리 배열 512-Kbit (64-Kbyte) 페이지 크기: 128 바이트 추가 기록 잠금 페이지
(정보 페이지)
• 쓰기 시간 닷바이트 5ms 안에 쓰기 페이지 5ms 안에 쓰기
• write protect 쿼터 배열 반 배열 전체 메모리 배열
• 고속 시계: 16MHz
• 단일 공급 전압: M95512-W의 2.5V ~ 5.5V M95512-R의 1.8V ~ 5.5V M95512-R의 1.7V ~ 5.5V M95512-DF
• 작동 온도 범위: -40 °C ~ +85 °C
• ESD 보호 강화
• 400만 회 이상 기록
• 200 년 이상 데이터 보존
• 패키지 (SO8N (ECOPACK2)) TSSOP8 (ECOPACK2) UFDFPN8 (ECOPACK2) WLCSP8 (ECOPACK2)
설명
M95512 장치는 전기적으로 지워질 수 있는 프로그래밍 메모리 (EEPROM) 입니다.
65536 x 8 비트,SPI 버스를 통해 액세스. M95512-W는 2.5V의 공급 전압으로 작동 할 수 있습니다
5.5V까지, M95512-R는 1.8V에서 5.5V의 공급 전압으로 작동 할 수 있으며 M95512-DF는
-40 °C / +85 °C의 온도 범위에서 1.7V에서 5.5V의 공급 전압으로 작동합니다.
M95512-DF는 식별 페이지 (128 바이트) 라는 추가 페이지를 제공합니다.
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읽기 전용 모드
특징
• 연쇄 주변 인터페이스 (SPI) 버스와 호환
• EEPROM의 메모리 배열 512-Kbit (64-Kbyte) 페이지 크기: 128 바이트 추가 기록 잠금 페이지
(정보 페이지)
• 쓰기 시간 닷바이트 5ms 안에 쓰기 페이지 5ms 안에 쓰기
• write protect 쿼터 배열 반 배열 전체 메모리 배열
• 고속 시계: 16MHz
• 단일 공급 전압: M95512-W의 2.5V ~ 5.5V M95512-R의 1.8V ~ 5.5V M95512-R의 1.7V ~ 5.5V M95512-DF
• 작동 온도 범위: -40 °C ~ +85 °C
• ESD 보호 강화
• 400만 회 이상 기록
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