JS28F512M29EWHA 플래시 - NOR 메모리 IC 512Mbit 병렬 110ns 56-TSOP 통합 회로 IC
JS28F512M29EWHA 플래시 - NOR 메모리 IC 512Mbit 병렬 110ns 56-TSOP 통합 회로 IC
| 마이크로 기술 | |
| 제품 카테고리 | NOR 플래시 |
| SMD/SMT | |
| TSOP-56 | |
| M29EW | |
| 512 Mbit | |
| 2.3V | |
| 3.6V | |
| 50mA | |
| 병렬 | |
| 64 M x 8/32 M x 16 | |
| 8bit/16bit | |
| 비동기 | |
| - 40C | |
| + 85 C | |
| 트레이 | |
| 브랜드: | 미크론 |
| 메모리 타입: | NOR |
| 제품 종류: | NOR 플래시 |
| 속도: | 110 ns |
| 표준: | 공통 플래시 인터페이스 (CFI) |
| 하위 분류: | 메모리 및 데이터 저장 |
| 종류: | 부트 블록 |
특징
●2Gb = 쌓인 장치 (1Gb 다이 두 개) 공급 전압
- Vcc= 2.7- 3.6V (프로그램, 삭제, 읽기)
- VccQ= 1.65- -Vcc (1/0 버퍼)
●무동속 무작위/ 페이지 읽기
1 페이지 크기: 16 단어 또는 32 바이트
1 페이지 접속: 25 ns
- 무작위 접근: 100ns (Fortified BGA); 110ns (TSOP)
● 버퍼 프로그램: 512 단어 의 프로그램 버퍼
●프로그램 시간
一0.88us per byte (1.14 MB/s) 전체 TYP를 사용할 때
버퍼 프로그램에서 512 단어 버퍼 크기
●기억 조직
- 단일 블록: 128Kbytes 또는 64-kword 각
●프로그램/삭제 컨트롤러
- 내장 바이트 (x8) / 단어 (x16)
리듬
●프로그램/ 지우기 중지 및 재개 기능
-프로그램 중에 다른 블록에서 읽어
SUSPEND 작업
- 다른 블록을 읽거나 프로그램
SUSPEND 작업
삭제된 블록을 확인하기 위한 BLANK CHECK 동작
●비파스 잠금 해제, 차단 삭제, 칩 삭제 및
버퍼 능력
- 빠른 버퍼 / 팩 프로그래밍
- 빠른 블록/칩 삭제
●Vpp/WP# 핀 보호
- 첫 번째 또는 마지막 블록을 보호합니다.
보호 설정
소프트웨어 보호
- 휘발성 보호
- 비휘발성 보호
- 비밀번호 보호
1 비밀번호 접근
● 확장 된 메모리 블록
一128 단어 (256-바이트) 블록 영구, 안전한
확인
1 공장에서 프로그램되거나 잠겨 있거나
고객
●저전력 소모: 대기 상태
●JESD47에 따라
一100블록당 최소 1000개의 ERASE 사이클
- 데이터 보존: 20 년 (TYP)
65nm 다단계 셀 MLC) 공정 기술
패키지
一56핀 TSOP, 14 x 20mm
64볼 강화 BGA, 13x 11mm
●녹색 패키지 사용 가능
- RoHS 준수
- 알로겐 없는 것
●운동 온도
- 환경: - 40°C ~ +85°C
전화: +86-755-23606019
주소: 1205-1207 방, 나낭 빌딩, 후아푸 로드 푸티안 지구,?? 진, 광둥, 중국
레냐
전화: +86-13420902155
이메일: sales@wisdtech.com.cn
위채트: 래니야타오66
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR 플래시 SPI 1Gbit 4 3 볼트 24/25 TBGA 2
NT2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT 통합 회로
| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR 플래시 SPI 1Gbit 4 3 볼트 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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NT2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C2C |
NT5CC128M16JR-EK DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA
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MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT 통합 회로 |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
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